匝間沖擊耐壓試驗儀以MCU中央信息處理系統(tǒng)為核心，由它控制高壓脈沖發(fā)生器對線圈施加一次極短時間的高壓脈沖，線圈在脈沖作用下產(chǎn)生自由衰減振蕩,其瞬態(tài)波形的模擬信號經(jīng)高速A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號后反饋至MCU信息處理系統(tǒng)進行時間、電暈量、面積、相位等參數(shù)的運算，處理結(jié)果保存在MCU信息處理系統(tǒng)的電子存儲器中，并用直觀易懂的文字、數(shù)據(jù)及圖形顯示在240×320點陣液晶模塊LCM上，從而保證了波形重現(xiàn)的真實性。并且根據(jù)用戶設(shè)定的條件,對合格或不合格者進行報警處理。

線圈質(zhì)量檢查判斷方法：

匝間沖擊耐壓試驗儀有4種典型的自動檢查判斷方法，用戶可以根據(jù)被測線圈的實際情況，組合或單獨采用；每一種判斷方法，均可任意設(shè)定、修改臨界判斷門限，以達到正確、快速檢查判斷不同線圈品質(zhì)優(yōu)劣的目的。具體檢查判斷方法如如下：

波形面積比較（AREA SIZE）

在任意指定的區(qū)間內(nèi)，對標(biāo)準(zhǔn)線圈和被測線圈波形面積進行比較。

計算出A-B區(qū)間內(nèi)的面積，判定兩者面積相差的程度。

判定的標(biāo)準(zhǔn)用百分比（％）進行設(shè)定，計算結(jié)果在范圍內(nèi)的為合格品。

區(qū)間內(nèi)面積的大小，大體與線圈內(nèi)能量損耗成比例，故能以此判斷能量損耗的大小。

例如被測線圈有匝間短路時，短路部分的反映是能量的損失增大。

波形差面積比較(DIFFERENTIAL AREA)

在任意指定區(qū)間內(nèi)，對標(biāo)準(zhǔn)線圈和被測線圈波形偏差部分的面積與標(biāo)準(zhǔn)線圈波形面積進行比較。

計算出A-B區(qū)間內(nèi)面積差，對比標(biāo)準(zhǔn)波形（同圖1.3.2_1）判定偏差的程度。

判定的標(biāo)準(zhǔn)用百分比（％）進行設(shè)定，結(jié)果在范圍內(nèi)的為合格品。

波形偏差面積的大小表示電感值以及能量損耗程度的總和。

此方法可較全面地檢查線圈的電感L值及能量損失。

波形電暈量比較 (FLUTTER VALUE)

在任意指定的區(qū)間內(nèi)，對被測線圈的電暈放電量與設(shè)定值進行比較。

基本忽略波形差異，在任意指定的A－B區(qū)間內(nèi)，僅在被測線圈實測波形包含的電暈放電尖峰中檢出高頻成分進行面積(積分)計算，并將計算結(jié)果與設(shè)定值進行比較，判定電暈放電量是否合格。

可以認(rèn)為該量是模擬方式中檢出的通過高頻濾波器的量值。

波形相位 (過零點)比較(ZERO CROSS)

在任意指定的區(qū)間內(nèi)，對標(biāo)準(zhǔn)線圈和被測線圈波形振蕩周期進行比較。

任意指定的A－B區(qū)間內(nèi)，計算被測線圈實測波形在該區(qū)間內(nèi)的振蕩周期，并與標(biāo)準(zhǔn)波形在該區(qū)間內(nèi)的振蕩周期進行比較，并用這兩個量的百分比作為判定依據(jù)，基準(zhǔn)用百分比來設(shè)定。

由于波形的振蕩周期與線圈的電感L密切相關(guān)，此方法可偏重于檢查線圈的電感L值。